[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 200610131866.1 | 申请日： | 2006-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101162738A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 赖升志;吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非挥发性存储器及其制造方法。非挥发性存储器包括一基材以及一堆栈结构。堆栈结构设置于基材上且位于基材的一源极区及一漏极区之间。堆栈结构至少包括一穿隧氧化层、一电荷陷入层及一介电层。电荷陷入层设置于穿隧氧化层上，介电层设置于电荷陷入层上。介电层为具有一介电常数的一材料，并且通过进行一工艺，由一第一固态相转变为一第二固态相。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非挥发性存储器，包括：基材，具有源极区及漏极区；以及堆栈结构，设置于该基材上且位于该源极区及该漏极区之间，该堆栈结构至少包括：穿隧氧化层；电荷陷入层，设置于该穿隧氧化层上；及介电层，设置于该电荷陷入层上，该介电层为具有介电常数的材料，并且通过进行工艺，由第一固态相转变为第二固态相。
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