[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法无效
申请号: | 200610132006.X | 申请日: | 2006-10-19 |
公开(公告)号: | CN1992153A | 公开(公告)日: | 2007-07-04 |
发明(设计)人: | 上代和男 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/306;G02F1/1333;C23F4/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐恕 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够以少量的处理液均匀地处理整个基板上表面的基板处理装置以及基板处理方法。从多孔喷嘴(32)沿基板(W)的旋转方向(A)对基板(W)的上表面从斜上方沿排列方向(X)呈列状地喷出处理液。并且,在以沿基板(W)的旋转半径方向延伸的线为旋转半径线时,以构成着落在基板(W)的上表面的列状处理液的各处理液(液滴)的着落位置从旋转半径线(RL)上起向着与旋转半径线(RL)垂直的偏置方向(Y)偏移规定的距离(S1)的方式,使处理液从多孔喷嘴(32)喷出。另一方面,使处理液从中心处理喷嘴(33)向基板(W)的旋转中心(A0)喷出,向基板(W)的中心部供给处理液。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其使基板以大致水平姿势旋转,同时向该基板供给处理液,而对上述基板实施规定的处理,其特征在于,具有:基板保持装置,其将基板以大致水平姿势保持;旋转驱动装置,其旋转驱动上述基板保持装置,使上述基板绕规定的旋转中心旋转;第一喷出装置,其向通过上述旋转驱动装置而被旋转的上述基板的上表面,沿与上述基板的旋转半径方向大致平行的规定的排列方向,呈列状地喷出处理液;第二喷出装置,其向上述基板上表面的旋转中心喷出处理液,在以经过上述基板的旋转中心并在上述基板的旋转半径方向上延伸的线为旋转半径线时,构成从上述第一喷出装置喷出而着落在上述基板上表面的上述列状处理液的各处理液的着落位置,从上述旋转半径线上起在与该旋转半径线垂直的偏置方向上偏移规定的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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