[发明专利]具有片内终止功能的半导体存储器芯片无效

专利信息
申请号: 200610132024.8 申请日: 2006-10-19
公开(公告)号: CN1953095A 公开(公告)日: 2007-04-25
发明(设计)人: 细江由树;藤泽宏树 申请(专利权)人: 尔必达存储器股份有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G06F13/40;H03K19/0175
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 孙纪泉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 公开了一种具有片内终止(ODT)功能的半导体存储器芯片,其包括延迟锁定环(DLL)电路、同步电路、异步电路、选择信号发生器和选择器。将DLL电路配置来在断言时钟使能(CKE)信号时,响应时钟信号,产生本地时钟信号。DLL电路具有预定引导(boost)时间。将选择信号发生器配置来考虑预定引导时间,断言选择信号。将选择器配置来选择异步电路的输出,直到断言了选择信号,而断言了选择信号之后,选择同步电路的另一输出。
搜索关键词: 具有 终止 功能 半导体 存储器 芯片
【主权项】:
1.一种半导体存储器芯片,包括:延迟锁定环(DLL)电路,配置来在断言了时钟使能(CKE)信号时,响应时钟信号,产生本地时钟信号,所述DLL电路具有预定引导时间;同步电路,配置来将输入信号延迟通过使用所述本地时钟信号而获得的预定延迟时间,所述同步电路输出延迟的输入信号,作为同步信号;异步电路,配置来响应输入信号,产生异步信号;选择信号发生器,配置来在断言了CKE信号之后,经过预定调整时间时,断言选择信号,所述预定调整时间等于或长于所述预定引导时间;以及选择器,配置来选择异步信号,直到断言了选择信号,并在断言选择信号之后,选择同步信号。
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