[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610132045.X | 申请日： | 2006-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN1953210A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 林兑泓 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/30 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括具有凹陷表面的半导体衬底；在该半导体衬底的凹陷表面上形成的栅绝缘层；在该栅绝缘层上形成的栅电极；以及在该栅电极两侧形成的源极/漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有凹陷表面；栅绝缘层，形成在该半导体衬底的凹陷表面上；栅电极，形成在该栅绝缘层上；以及源极/漏极区，形成在该栅电极的两侧。
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