[发明专利]相变存储器元件的真空包覆电极有效
申请号: | 200610132070.8 | 申请日: | 2006-10-24 |
公开(公告)号: | CN1971960A | 公开(公告)日: | 2007-05-30 |
发明(设计)人: | 龙翔澜 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 林锦辉 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种存储器器件,其具有环绕第一电极元件的真空夹层(jacket),以提供较佳的隔热效果。此存储器器件包括第一电极元件;相变存储器元件,其接触至第一电极元件;电介质填充层,其围绕相变存储器元件以及第一电极元件,其中电介质层与第一电极元件之间有间隔,以在第一电极元件与电介质填充层之间定义腔室;且将相变存储器层密封到电介质填充层,以定义环绕第一电极元件的隔热夹层。 | ||
搜索关键词: | 相变 存储器 元件 空包 电极 | ||
【主权项】:
1、一种存储器器件,包括:第一电极元件;相变存储器元件,其接触至所述第一电极元件;电介质填充层,围绕所述相变存储器元件以及所述第一电极元件,其中所述电介质填充层与所述第一电极元件之间有间隔,以在所述第一电极元件与所述电介质填充层之间定义一腔室;且将所述相变存储器元件密封至所述电介质填充层,以定义环绕所述第一电极元件的隔热夹层(jacket)。
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