[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

通过使用氮化硅膜103作为掩模在存储器单元区M内以以下状态形成栅沟槽108，所述状态是指通过栅绝缘膜101s、保护膜102以及氮化硅膜103覆盖P型外围电路P区中的和N型外围电路N区中的半导体衬底100。然后在所述栅沟槽108的内壁上形成栅绝缘膜109，并将包含有N型杂质的硅膜110嵌入所述栅沟槽108。然后去除所述氮化硅膜103，在整个表面上形成非掺杂硅膜，在此之后，将P型杂质引入P区上的非掺杂硅膜内，并将N型杂质引入M区和N区上的非掺杂硅膜内。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：第一步，在存储器单元区和外围电路区形成第一栅绝缘膜，其中所述外围电路区具备半导体衬底的第一导电类型晶体管形成区和第二导电类型晶体管形成区；第二步，在所述第一栅绝缘膜上形成保护膜；第三步，形成带有用于形成栅沟槽的开口的掩模层；第四步，使用所述掩模层在所述半导体衬底的所述存储器单元区内形成栅沟槽；第五步，在所述栅沟槽的内壁形成第二栅绝缘膜；第六步，在所述栅沟槽内形成以第二导电类型杂质掺杂的第一硅膜；第七步，去除所述掩模层；第八步，在所述保护膜和所述第一硅膜上形成非掺杂第二硅膜；第九步，选择性的将第一导电类型杂质引入在所述外围电路区的所述第一导电类型晶体管形成区上的所述第二硅膜；第十步，选择性的将第二导电类型杂质引入在所述外围电路区的所述第二导电类型晶体管形成区上的所述第二硅膜；第十一步，构图所述第二硅膜和所述保护膜，形成第一栅电极，所述第一栅电极包含其中引入了第一导电类型杂质的所述第二硅膜；以及形成第二栅电极，所述第二栅电极包含其中引入了第二导电类型杂质的第二硅膜。