[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200610132139.7 | 申请日： | 2004-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1975991A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 富盛浩昭;青木秀充;岩本敏幸 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种用于制造半导体器件的方法。根据本发明，可以刻蚀高－k膜，以提供希望的几何形状，而不损坏硅底层材料。通过热氧化在硅衬底(50)上形成氧化硅薄膜(52)，以及在其上形成包括HfSiOx的高介电常数绝缘膜(54)。此后，通过抗蚀剂层(58)的掩模，通过干法刻蚀分阶段有选择地除去多晶硅层(56)和高介电常数绝缘膜(54)，以及随后，通过多晶硅层(56)的掩模，通过湿法刻蚀有选择地除去介电常数绝缘膜(54)和氧化硅膜(52)的剩余部分。蚀刻剂溶液采用磷酸和硫酸的液体混合物。蚀刻剂溶液的温度优选等于或小于200℃，更优选等于或小于180℃。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在含硅的底层材料上形成金属硅酸盐膜，所述金属硅酸盐膜包含作为主要化学元素的硅、氧以及从由Hf、La、Zr和Al构成的组中挑选出来的一种、两种或更多种金属元素：以及除去所述金属硅酸盐膜，以露出所述的底层材料，其中在所述金属硅酸盐膜的所述除去的过程中，通过采用包含有机溶剂和氢氟酸或其盐类的化学液体溶液除去所述的金属硅酸盐膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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