[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置，其具备金属绝缘体半导体晶体管，该金属绝缘体半导体晶体管具有FUSI栅电极和多晶硅电阻体，其中多晶硅电阻体中设置在接触形成区域的部分与栅电极或杂质扩散区域同时被硅化物化。由此，提供一种具备FUSI电极和多晶硅电阻体且能够简便地制造的半导体装置及其制造方法。

主权项

1.一种半导体装置，具备：半导体基板；第一金属绝缘体半导体晶体管，其具有：第一栅绝缘膜，其设置在所述半导体基板上；第一栅电极，其设置在所述第一栅绝缘膜之上，由金属硅化物构成；和第一杂质扩散区域，其形成在所述半导体基板中的位于所述第一栅电极的两侧下方的区域；和电阻元件，其形成于在所述半导体基板设置的元件分离区域之上，具有由多晶硅构成的电阻体，在所述电阻元件的接触形成区域，至少在上部形成有第一硅化物层。