[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法无效

专利信息
申请号: 200610132154.1 申请日: 2006-10-12
公开(公告)号: CN1949538A 公开(公告)日: 2007-04-18
发明(设计)人: 丁明镇 申请(专利权)人: 东部电子股份有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 王玉双
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种半导体器件,包括形成在半导体衬底上方的第一和第二硅层。在第一与第二硅层之间形成有绝缘层。在第二硅层上方形成有栅绝缘层、栅电极和间隔层。在栅电极两侧的第二硅层上方形成有源极/漏极杂质区。
搜索关键词: 半导体器件 以及 制造 方法
【主权项】:
1.一种装置,包括:第一硅层和第二硅层,形成在半导体衬底上方;第一绝缘层,形成在该第一硅层与该第二硅层之间;栅绝缘层、栅电极和间隔层,顺序形成在该第二硅层上方;以及源极/漏极杂质区,形成在该栅电极两侧的第二硅层上方。
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