[发明专利]制造具有多个存储器节点电极的半导体存储器器件的方法有效
| 申请号： | 200610132163.0 | 申请日： | 2006-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN1949482A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 康大赫;吴政玟;洪昌基;崔相俊;沈雨宽 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一方面，提出了一种制造半导体存储器器件的方法，包括：在半导体衬底的第一部分和第二部分上面形成模具绝缘膜，其中模具绝缘膜包括在半导体衬底的第一部分上面彼此间隔的多个存储节点电极孔。该方法还包括：在存储节点电极孔的内表面上分别形成多个存储节点电极，以及形成覆盖膜，所述覆盖膜覆盖位于半导体衬底的第一部分上面的存储节点电极和模具绝缘膜的第一部分，但暴露出位于半导体衬底的第二部分上面的模具绝缘膜的第二部分。该方法还包括：至少利用湿法刻蚀，选择性地除去模具绝缘膜以暴露出由覆盖膜所覆盖的存储节点电极中的至少一个存储节点电极的侧壁，以及通过干法刻蚀除去覆盖膜以暴露出存储节点电极的上部。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 存储器 节点 电极 半导体 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体存储器器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底的第一部分和第二部分上面形成模具绝缘膜，所述模具绝缘膜包括在半导体衬底的第一部分上面彼此间隔的多个存储节点电极孔；在存储节点电极孔的内表面上分别形成多个存储节点电极；形成覆盖膜，所述覆盖膜覆盖位于半导体衬底的第一部分上面的存储节点电极和模具绝缘膜的第一部分，但暴露出位于半导体衬底的第二部分上面的模具绝缘膜的第二部分；至少利用湿法刻蚀，选择性地除去模具绝缘膜以暴露出由覆盖膜所覆盖的存储节点电极中的至少一个存储节点电极的侧壁；以及通过干法刻蚀除去覆盖膜以暴露出存储节点电极的上部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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