[发明专利]一种太阳能级多晶硅的生产方法无效
| 申请号： | 200610134107.0 | 申请日： | 2006-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1962435A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 张海涛;张海霞;蒋艳玲;车水军 | 申请（专利权）人： | 锦州新世纪石英玻璃有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/025 | 分类号： | C01B33/025 |
| 代理公司： | 锦州辽西专利事务所 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 121001辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种太阳能级多晶硅的生产方法，把石墨或碳黑或石油胶在1500～2000℃的高温环境中真空灼烧，进行提纯；将高纯石英砂和提纯的高纯石墨或碳黑或石油胶按照物质的量比1∶2加入还原炉内还原，生成杂质含量低的硅产品；再将硅在真空熔炼炉中进行真空熔融，按照硅的熔点控制温度，过滤除渣，除去碳、碳化硅及二氧化硅粉杂质，再将熔融状态的硅倒入铸模中，定向凝固，即可得6N级的太阳能级多晶硅。优点是：生产一次性投资小、建设周期快、产品纯度高、生产成本低、工艺流程简单、无污染、自动化程度高、适合产业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳 能级 多晶 生产 方法 | ||
【主权项】：
1、一种太阳能级多晶硅的生产方法，其特征是：把石墨或碳黑或石油胶在1500～2000℃的高温环境中真空灼烧，进行提纯；将高纯石英砂和提纯的高纯石墨或碳黑或石油胶按照物质的量比1∶2加入还原炉内还原，生成杂质含量低的硅产品；再将硅在真空熔炼炉中进行真空熔融，按照硅的熔点控制温度，过滤除渣，除去碳、碳化硅及二氧化硅粉杂质，再将熔融状态的硅倒入铸模中，定向凝固，即可得6N级的太阳能级多晶硅。
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