[发明专利]软基纳米半导体敏化薄膜太阳能电池及制造方法无效

专利信息
申请号: 200610134934.X 申请日: 2006-12-21
公开(公告)号: CN1996619A 公开(公告)日: 2007-07-11
发明(设计)人: 栾松;栾文彦;栾竹 申请(专利权)人: 栾松;栾文彦;栾竹
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04;H01L31/18;H01G9/20;H01M14/00
代理公司: 大连非凡专利事务所 代理人: 闪红霞
地址: 116022辽宁省大连市沙河口区西安*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开一种软基纳米半导体敏化薄膜太阳能电池,由基体(1)、导电层(2)、纳晶半导体电极层及染料敏化层(3)、固态电解质层(4)、金属电极层(5)、基体(6)复合而成,与导电层(2)相接有电池阳极接线(7),与金属电极层(5)相接有电池阴极接线(8),所述的基体(1)、(6)是软质绝缘层,所述的导电层(2)是ITO薄膜。纳晶半导体电极层坯料是通过低温等离子场处理而形成纳晶半导体电极层,具有生产工艺简单、造价低廉、重量轻、使用方便等优点。
搜索关键词: 纳米 半导体 薄膜 太阳能电池 制造 方法
【主权项】:
1.一种软基纳米半导体敏化薄膜太阳能电池,由基体(1)、导电层(2)、纳晶半导体电极层及染料敏化层(3)、固态电解质层(4)、金属电极层(5)、基体(6)复合而成,与导电层(2)相接有电池阳极接线(7),与金属电极层(5)相接有电池阴极接线(8),其特征在于:所述的基体(1)、(6)是软质绝缘层,所述的导电层(2)是ITO薄膜。
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