[发明专利]再循环外延施予晶片的方法无效
| 申请号： | 200610135531.7 | 申请日： | 2006-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN1959952A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | N·谢米;E·吉奥;P·雷诺 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种形成包括在接收晶片(B)上形成包括由半导体材料制成的薄层(5、50)的结构的方法，包括以下步骤：通过移除在支撑衬底(1)上由外延生长形成的层(4)的一厚度(Tr)的材料的表面准备(13)；将外延层的部分(5、50)转移到接收晶片(B)，以在接收晶片上形成薄层，负片(A′)还形成包括支撑衬底(1)和所述外延层的剩余的未转移部分(40)，其特征在于：修改通过所述表面准备步骤移除的厚度(Tr)，以便所述表面准备步骤应用到负片(A′)上能够从剩余部分(40)形成新的薄层，在剩余部分中通过表面准备步骤减小了厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 再循环 外延 施予 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1.在接收晶片(B)上形成包括由半导体材料制成的薄层(5、50)的结构的方法，包括以下步骤：-通过移除在支撑衬底(1)上由外延生长形成的层(4)的一厚度材料的表面准备(13)；-将外延层的部分(5、50)转移到接收晶片(B)，以在接收晶片上形成薄层，负片(A′)还形成包括支撑衬底(1)和所述外延层的剩余的未转移部分(40)，其特征在于：修改通过所述表面准备步骤移除的厚度，以便所述表面准备步骤应用到负片(A′)上能够从剩余部分(40)形成新的薄层，在剩余部分中通过表面准备步骤减小了厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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