[发明专利]绝缘层构图方法、通过该方法形成的绝缘层以及显示装置无效
| 申请号： | 200610135571.1 | 申请日： | 2006-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN101009224A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 崔相俊;李正贤;房想奉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种绝缘层构图方法、通过该绝缘层构图方法形成的绝缘层以及含有该绝缘层的显示装置。所述方法包括：通过将具有绝缘物质的FOX(可流动氧化物)和使用挥发溶剂溶解所述绝缘物质的溶剂来制备混合溶液；通过在衬底上施加所述混合溶液、烘烤并硬化施加在所述衬底上的混合溶液来形成涂层；将所述涂层的一区域曝光；以及，通过将所得的已曝光结构浸泡在异丙醇中、溶解所述涂层的未曝光区域并烘烤所述涂层的其余区域来形成绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 构图 方法 通过 形成 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘层构图方法，包括：通过将具有绝缘物质的FOX和使用挥发溶剂溶解所述绝缘物质的溶剂混合来制备混合溶液；通过在衬底上施加所述混合溶液、烘烤并硬化施加在所述衬底上的混合溶液来形成涂层；将所述涂层的一区域曝光；以及通过将所得的已曝光结构浸泡在异丙醇中、溶解所述涂层的未曝光区域并烘烤所述涂层的其余区域来形成绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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