[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610135633.9 | 申请日： | 2006-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN101030598A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 平濑顺司;粉谷直树;竹冈慎治;冈崎玄;濑部绍夫;相田和彦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置，在使用高介电常数栅极绝缘膜的MISFET中，不会恶化高介电常数栅极绝缘膜，提高MISFET的特性。在基板(1)的活性区域上通过高介电常数栅极绝缘膜(4A)形成栅电极(5)。在栅电极(5)的侧面上形成具有高介电常数的绝缘性侧壁(7)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，具备：在基板的活性区域上形成的高介电常数栅极绝缘膜；在上述高介电常数栅极绝缘膜上形成的栅电极；以及在上述栅电极侧面形成的高介电常数绝缘性侧壁。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610135633.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
