[发明专利]一种利用互连结构制造半导体模块的方法无效
申请号: | 200610135645.1 | 申请日: | 2006-10-18 |
公开(公告)号: | CN1953152A | 公开(公告)日: | 2007-04-25 |
发明(设计)人: | 栗田洋一郎;副岛康志;川野连也 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/28 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 关兆辉;陆锦华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种用于制造半导体模块的方法。在该方法中,在支撑基片上形成金属层,然后在所述金属层上形成第一导电柱和第一绝缘层。所述第一绝缘层围绕所述第一导电柱的侧面。然后,在所述第一导电柱上形成第二导电柱。所述第二导电柱与所述第一导电柱电连接。然后,形成第二绝缘层以覆盖所述第二导电柱。所述第二绝缘层由粘性树脂形成。最后,通过所述第二绝缘层将半导体装置粘接到所述第二导电柱,同时通过所述第二绝缘层密封所述第一半导体装置和所述第一绝缘层之间的间隙。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 互连 结构 制造 半导体 模块 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造半导体模块的方法,包括:在支撑基片上形成金属层;在所述金属层上形成多个第一导电柱和第一绝缘层,所述第一绝缘层围绕在所述第一导电柱的侧面;在所述第一导电柱上形成多个第二导电柱,所述第二导电柱与所述第一导电柱电连接;形成第二绝缘层以覆盖所述第二导电柱,所述第二绝缘层由粘性树脂形成;通过所述第二绝缘层将第一半导体装置粘接到所述第二导电柱,同时通过所述第二绝缘层密封所述第一半导体装置和所述第一绝缘层之间的间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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