[发明专利]透射型电子显微镜用的试样制作方法、观察方法以及结构无效
| 申请号： | 200610135723.8 | 申请日： | 2006-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN1979119A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 池田聪 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | G01N1/32 | 分类号： | G01N1/32;G01N13/10;H01J37/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供透射型电子显微镜用的试样制作方法、观察方法以及结构。在透射型电子显微镜用的试样制作方法中，包含如下工序：在半导体装置的特定部位的观察剖面上形成非晶质结构的保护膜；去除形成有上述保护膜的观察剖面的周围；使至少包含上述保护膜的区域薄膜化。在观察半导体装置的剖面的观察方法中，包含如下工序：使用扫描型显微镜观察上述半导体装置的特定部位的剖面；在上述剖面上形成非晶质结构的保护膜，透过该保护膜来使用透射型电子显微镜进一步观察上述剖面。在为了在使用扫描型显微镜观察半导体装置的特定部位的剖面后，使用透射型电子显微镜观察同一观察剖面而制作的观察试样中，在上述观察剖面上具有非晶质结构的保护膜。 | ||
| 搜索关键词： | 透射 电子显微镜 试样 制作方法 观察 方法 以及 结构 | ||
【主权项】：
1.一种试样制作方法，该方法是透射型电子显微镜用的试样制作方法，其特征在于，该试样制作方法包含：在半导体装置的特定部位的观察剖面上形成非晶质结构的保护膜的工序；去除形成有上述保护膜的观察剖面的周围的工序；以及使至少包含上述保护膜的区域薄膜化的工序。
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