[发明专利]用于制造半导体集成电路器件的方法有效
| 申请号： | 200610135745.4 | 申请日： | 2001-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1941324A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 山本直树;木村绅一郎;朴泽一幸;内山博之;铃木范夫;西谷英辅 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在形成一种其中在一个多晶硅膜上层叠一个WNx膜和一个W膜的多金属结构的栅电极7A之后，当执行使栅绝缘膜6再生的氧化处理时，在使各栅电极7A的侧壁上的氧化钨27还原的条件下，使晶片1加热和冷却。结果，使晶片1的表面上淀积的氧化钨27的量减少。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 集成电路 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体集成电路器件的方法，包括如下步骤：(a)在一个晶片的第一主表面上形成一个包括一个耐熔金属膜的膜图形；(b)在使所述耐熔金属膜的氧化物还原的条件下，将包括其上形成的所述膜图形的所述晶片的所述第一主表面加热到600摄氏度或更高的第一温度；(c)用化学汽相淀积在所述第一温度下在包括其上形成的所述膜图形的所述晶片的所述第一主表面上形成一个绝缘膜；以及(d)在使所述耐溶金属膜的氧化物还原的条件下，将用化学汽相淀积在其上形成有所述绝缘膜的所述晶片的所述第一主表面冷却到小于500摄氏度的第二温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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