[发明专利]用于制造集成电路器件的方法和系统无效
| 申请号： | 200610135747.3 | 申请日： | 2006-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN1952787A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 斯科特·J·布科夫斯基;科林·J·布罗德斯基;史蒂文·J·霍姆斯;伯恩哈德·R·利格尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 张维;胡亚莉 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种方法和设备，用于在半导体制造工艺的光刻成像过程期间改进比如晶片这样的衬底的调平并由此改进衬底的聚焦。本发明执行晶片形貌的预扫描而且为晶片表面的不同区域分配重要性值。基于不同区域的形貌和重要性值来计算曝光聚焦指令，然后基于所计算的曝光聚焦指令对晶片进行扫描和成像。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 集成电路 器件 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造比如晶片这样的集成电路器件的方法，其中所述方法的一个或多个步骤需要包括对所述晶片进行调平的光刻步骤，包括步骤：将晶片加载到晶片成像光刻曝光系统中；预扫描所述晶片以确定与所述晶片在所述晶片的不同区域之上的形貌有关的数据；为所述晶片的不同区域分配聚焦重要性值；基于所述预扫描形貌数据和区域聚焦重要性值来计算用于所述光刻步骤的曝光聚焦指令；基于所述计算的曝光聚焦指令对所述晶片进行扫描和曝光；以及从所述曝光系统释放所述晶片并卸载所述晶片。
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