[发明专利]硅SOI基片上制造检测磁场/压力MOSFET的方法无效
| 申请号： | 200610135874.3 | 申请日： | 2006-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN1929086A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 温殿忠 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学;温殿忠 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/336;H01L21/306;H01L29/96 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150080黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种在SOI基片上制造可以同时检测磁场和压力的MOSFET工艺方法。尤其是该方法所采用的微电子制造工艺与半导体集成电路工艺相兼容。本发明提供一种采用纳米硅/单晶硅异质结作为MOSFET漏和源的磁场和压力同时检测多功能器件的制造方法。本发明的制造方法所采用的工艺方案是：在SOI硅片上，采用CMOS技术和PECVD方法在SOI表面的Si层上制造具有纳米硅/单晶硅异质结漏和源的SOI MAG－MOSFET，并将SOI MAG－MOSFET器件的背面硅衬底利用MEMS技术加工成硅杯结构，使制造的器件成为在检测磁场的同时又能检测压力的多功能传感器。在SOI硅片上研制MAG－SOI MOSFET多功能压/磁传感器集纳米硅/单晶硅异质结和SOI MOSFET的共同优点，具有很好的温度稳定性、寄生电容小、功耗低、可靠性高，耐恶劣环境，抗辐射、寿命长等优点。本发明的制造方法有益效果是将性能优秀的纳米硅/单晶硅异质结作为MOSFET的漏和源，又将制造的器件结构与硅杯结构相结合，使制造的器件成为在检测磁场的同时又能检测压力的多功能传感器，结构简单，制造方法与集成电路工艺相兼容。 | ||
| 搜索关键词： | soi 基片上 制造 检测 磁场 压力 mosfet 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在SOI基片上制造可以同时检测磁场和压力的MOSFET工艺方法，其特征是：在SOI硅片上，采用CMOS技术和PECVD方法在SOI表面的Si层上制造具有纳米硅/单晶硅异质结漏和源的SOI MAG-MOSFET，并将SOI MAG-MOSFET器件的背面硅衬底利用MEMS技术加工成硅杯结构，使制造的器件成为在检测磁场的同时又能检测压力的多功能传感器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于黑龙江大学;温殿忠，未经黑龙江大学;温殿忠许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610135874.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
