[发明专利]显示器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200610135937.5 申请日: 2006-10-13
公开(公告)号: CN1949511A 公开(公告)日: 2007-04-18
发明(设计)人: 木村肇 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768;H01L21/28
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 浦柏明;刘宗杰
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于如下:当在像素电极上形成金属膜并为层叠结构时,使用一个抗蚀剂掩模形成像素电极及金属膜。本发明的技术方案在于如下:层叠用作像素电极的导电膜和金属膜;使用具有半透光部分的曝光掩模在金属膜上形成具有膜厚度厚的区域和膜厚度比该区域薄的区域的抗蚀剂图案;以及使用抗蚀剂图案形成像素电极和接触于该像素电极的一部分的金属膜。根据以上,可以使用一个抗蚀剂掩模形成像素电极及金属膜。
搜索关键词: 显示 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种显示器件,包括:形成在衬底上的栅电极;形成在所述栅电极上的栅极绝缘膜;在所述栅极绝缘膜之上的岛状半导体膜;形成在所述岛状半导体膜之上的导电层;形成在所述导电层之上的像素电极;以及形成在所述像素电极之上的金属膜,其中所述像素电极与所述导电层的侧面接触,所述像素电极具有台阶部分,并且所述金属膜接触所述像素电极,使得所述金属膜覆盖所述像素电极的所述台阶部分。
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