[发明专利]对一主动侧壁相变存储单元改善热绝缘的结构及方法有效
| 申请号： | 200610136026.4 | 申请日： | 2006-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1971961A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有改善的热绝缘的存储元件。此元件包含电极堆叠，包括第一电极和第二电极元件，大致上是平坦的，通过侧壁子元件隔离且与之相互接触，其中该电极堆叠包括侧表面；相变元件，具有底表面与该电极堆叠侧表面接触，包括与该第一电极和该第二电极元件作电性接触；以及介电填充材料，环绕并覆盖该存储元件，其中该介电填充材料与该相变元件分离，导致该介电填充材料与该相变元件定义邻近于该相变元件的凹洞，且其中该凹洞容纳低气压环境。 | ||
| 搜索关键词： | 主动 侧壁 相变 存储 单元 改善 绝缘 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储元件，包括：电极堆叠，其包含第一电极和第二电极元件，大致上是平坦的，通过绝缘元件隔离且与之相互接触，其中所述电极堆叠包括侧表面；相变元件，具有底表面与所述电极堆叠的侧表面接触，包括与所述第一电极和所述第二电极元件电性接触；以及介电填充材料，环绕并覆盖所述相变元件，其中所述介电填充材料与所述相变元件分离，导致所述介电填充材料与所述相变元件定义邻近于所述相变元件的凹洞，且其中所述凹洞容纳低气压环境。
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