[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610136129.0 | 申请日： | 2006-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN1949523A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 崔炳镕;李忠浩;朴东健 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L23/522;H01L21/8247;H01L21/762;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括：在半导体衬底的预设或给定区域上顺序层叠的单元隔离图形和半导体图形；单元栅极线，在半导体图形上，并在单元隔离图形的一侧上的半导体衬底的顶表面上；多层阱绝缘层，在单元栅极线和半导体衬底以及单元栅极线和半导体图形之间；第一杂质扩散层，在单元栅极线的两侧上的半导体衬底中；以及第二杂质扩散层，在单元栅极线的两侧上的半导体图形中。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：在半导体衬底的一区域上的单元隔离图形和半导体图形；单元栅极线，在半导体图形上，并在单元隔离图形的一侧上的半导体衬底的顶表面上；多层阱绝缘层，在单元栅极线和半导体衬底以及单元栅极线和半导体图形之间；第一杂质扩散层，在单元栅极线的两侧上的半导体衬底中；以及第二杂质扩散层，在单元栅极线的两侧上的半导体图形中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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