[发明专利]半导体存储装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610136186.9 | 申请日： | 2006-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1953161A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 真田和彦;金森宏治 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/28;H01L27/115;H01L29/788 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体存储装置及其制造方法，其提高动作上的可靠性。具备：选择栅(3a)，其配置在衬底(1)上的第1区域；浮置栅(6a)，其配置在与第1区域邻接的第2区域；第1及第2扩散区域(7a、7b)，其设置在与第2区域邻接的第3区域；控制栅(11)，其配置在浮置栅(6a)上，浮置栅(6a)的上端面平坦。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上的选择栅的侧壁经由绝缘膜形成侧壁状的浮置栅的工序；使所述浮置栅的上端部平坦化的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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