[发明专利]电磁噪声抑制器、使用该抑制器的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610136213.2 | 申请日： | 2001-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN1937219A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 吉田荣吉;小野裕司;栗仓由夫;根本道夫;山中英二;山口正洋;岛田宽 | 申请（专利权）人： | NEC东金株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 魏军 |
| 地址： | 日本宫城*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体裸芯片(57)的前表面上形成集成电路，在半导体裸芯片的背侧表面上形成磁损耗薄膜55。 | ||
| 搜索关键词： | 电磁 噪声 抑制器 使用 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电磁噪声抑制体，包括一种导电软磁薄膜，具有一种结构，其中所述软磁薄膜被细微地分成相对于电磁噪声波长是足够小的构成单元，并且那些构成单元之间的直流电传导被间断。
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