[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200610136230.6 | 申请日： | 2006-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1949533A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 田中雅浩 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供不设置电阻元件就可进行电流检出的半导体装置。本发明的半导体装置是控制将半导体基板夹于其间的对向配置的电极间流过的电流的纵型半导体装置，具备：具有对向的第1面和第2面的半导体基板；第1面上形成的第1电极；在该第2面上经由电阻值Rs的高电阻电极形成的第2电极；沿该第2面的外周缘的至少一部分形成的第3电极。在该第1电极和该第2电极之间流过电流I的状态下，测定该第2电极和该第3电极之间的电位差Vs，根据该电阻值Rs和该电位差Vs检出该电流I。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，是控制将半导体基板夹于其间的对向配置的电极间流过的电流的纵型半导体装置，具备：具有对向的第1面和第2面的半导体基板；第1面上形成的第1电极；在该第2面上经由电阻值Rs的高电阻电极形成的第2电极；沿该第2面的外周缘的至少一部分形成的第3电极，在该第1电极和该第2电极之间流过电流I的状态下，测定该第2电极和该第3电极之间的电位差Vs，根据该电阻值Rs和该电位差Vs检出该电流I。
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