[发明专利]阵列基板及其制造方法、包括其的液晶显示器设备无效
申请号: | 200610136258.X | 申请日: | 2006-10-19 |
公开(公告)号: | CN1953190A | 公开(公告)日: | 2007-04-25 |
发明(设计)人: | 安贤宰;林铉洙;李仁成;安基完;边宰成 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/136 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和包括该阵列基板的液晶显示区设备。所述阵列基板包括基板、电极垫、绝缘层和透明电极。基板包括显示区和与显示区相邻的周边区。电极垫在周边区中。电极垫包括第一金属层和第二金属层。第二金属层在第一金属层上且包括开口,通过该开口第一金属层被部分地暴露,绝缘层在电极垫上且在开口中覆盖第二金属层的侧面和第一金属层暴露的部分。透明电极在绝缘层上,且通过绝缘层中的通路孔电连接到第一金属层。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 包括 液晶显示器 设备 | ||
【主权项】:
1、一种阵列基板,包括:基板,包括显示区和与所述显示区相邻的周边区;电极垫,在所述周边区中,所述电极垫包括:第一金属层;和第二金属层,所述第二金属层在所述第一金属层上且包括开口,通过所述开口所述第一金属层被部分地暴露;在所述电极垫上的绝缘层,所述绝缘层在所述开口中覆盖所述第二金属层的侧面和所述第一金属层被暴露的部分;和在所述绝缘层上的透明电极,其中所述透明电极通过所述绝缘层中的通路孔电连接到所述第一金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的