[发明专利]半导体结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200610136284.2 | 申请日： | 2006-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN1976058A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半导体结构及其制作方法。半导体结构包含：(a)有衬底上表面的衬底；(b)在衬底上表面上的沟道区；(c)在衬底上表面上的栅介电区；以及(d)在衬底上表面上的栅电极区。栅介电区使沟道区与栅电极区电绝缘。此半导体结构也包含衬底上的第一和第二源/漏区。沟道区位于第一和第二源/漏区之间。沟道区与栅介电区通过界面彼此直接物理接触，此界面基本上垂直于衬底上表面。第一和第二源/漏区每个都由晶体材料构成，材料的晶格常数或晶格间隔与沟道区的晶格常数不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：(a)有衬底上表面的衬底；(b)在衬底上表面上的沟道区；(c)在衬底上表面上的栅介电区；(d)在衬底上表面上的栅电极区，其中栅介电区使沟道区与栅电极区电绝缘；以及(e)在衬底上表面上的第一和第二源/漏区，其中：沟道区在第一和第二源/漏区之间；沟道区与栅介电区通过界面彼此直接物理接触，此界面基本上垂直于衬底上表面；第一和第二源/漏区每个都包括第一和第二半导体材料；以及第一和第二半导体材料是互不相同的。
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