[发明专利]发光半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 200610136532.3 | 申请日： | 2001-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1933202A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | S·巴德尔;B·哈恩;V·海勒;H·－J·卢高尔;M·蒙德布罗德－范格罗;D·埃塞尔特 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 蔡民军;胡强 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制作发光半导体元件的方法，这种元件的半导体本体由一个若干不同的III－V族－氮化物－半导体层(1)的层叠构成并具有第一个主面(3)和第二个主面(4)，其中，产生的辐射的至少一部分通过该第一主面输出，且该第二主面具有一个反射器，其特征为，这些III－V族－氮化物－各层被设置在一个复合衬底上，该复合衬底具有一个衬底本体和一层夹层，其中，该衬底本体的热膨胀系数相似于或最好大于III－V族－氮化物－各层的热膨胀系数，且III－V族－氮化物－各层淀积在该夹层上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.用于制作发光半导体元件的方法，这种元件的半导体本体由一个若干不同的III-V族-氮化物-半导体层(1)的层叠构成并具有第一个主面(3)和第二个主面(4)，其中，产生的辐射的至少一部分通过该第一主面输出，且该第二主面具有一个反射器，其特征为，将这些III-V族-氮化物-各层被设置在一个复合衬底上，该复合衬底具有一个衬底本体和一层夹层，其中，该衬底本体的热膨胀系数相似于或最好大于III-V族-氮化物-各层的热膨胀系数，且III-V族-氮化物-各层淀积在该夹层上。
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