[发明专利]半导体器件以及其制造方法无效
| 申请号： | 200610136541.2 | 申请日： | 2006-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1956173A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 森本昇;藤泽雅彦;儿玉大介 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/522;H01L21/71;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供具备将密封环的结构最优化，从而确保作为相对于来自于切割部的切断面的水分的侵入和裂纹的伸展的屏障的功能的密封环的半导体器件以及其制造方法。在半导体衬底(1)上的电路形成区域和切割区域之间设置有密封环(100)。密封环(100)具有层叠剖面形状呈T字型的密封层的部分和层叠剖面形状呈矩形的密封层的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具备设在半导体衬底上的半导体集成电路、设在其上方的多层布线层和以包围所述半导体集成电路以及所述多层布线层的周围的方式设置的密封环，其中：所述密封环由分别设置在构成所述多层布线层的多个层间绝缘膜中的导电性的密封层的层叠体构成；所述密封层的层叠体具有将多个其剖面形状为T字型的第1密封层连续地层叠的部分；和将多个其剖面形状为矩形的第2密封层连续地层叠的部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社瑞萨科技，未经株式会社瑞萨科技许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610136541.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：日本血吸虫疫苗抗原基因的克隆、表达和应用
- 下一篇：磁化柴油选钼捕收剂
