[发明专利]隔离片电极小管脚相变随机存取存储器及其制造方法有效
申请号: | 200610136558.8 | 申请日: | 2006-10-25 |
公开(公告)号: | CN1967895A | 公开(公告)日: | 2007-05-23 |
发明(设计)人: | 龙翔澜;陈士弘 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 林锦辉 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种存储器器件,其包括具有侧壁与顶侧的第一凹盘型电极、具有侧壁与顶侧的第二凹盘型电极、以及位于第一侧壁与第二侧壁之间的绝缘壁。此绝缘壁在第一与第二侧壁之间、接近相对应的顶侧处具有厚度。存储器材料导桥横跨此绝缘壁,并定义在第一与第二电极之间的、横跨绝缘壁的电极间路径。本发明还提供该存储器单元的阵列。存储器材料导桥具有次平版印刷的尺寸。 | ||
搜索关键词: | 隔离 极小 管脚 相变 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种存储器器件,包括:第一凹盘型电极,其具有第一侧壁结构,所述第一侧壁结构具有顶侧、且在所述顶侧处具有宽度;第二凹盘型电极,其具有第二侧壁结构,所述第二侧壁结构具有顶侧、且在所述顶侧处具有宽度;绝缘壁,其位于所述第一侧壁结构与所述第二侧壁结构之间,所述绝缘壁在所述第一与第二侧壁结构之间、接近所述第一侧壁结构的顶侧与所述第二侧壁结构的顶侧处具有厚度;导桥,其横跨所述绝缘壁、所述第一侧壁结构的顶侧与所述第二侧壁结构的顶侧,所述导桥具有第一侧与第二侧,并在所述第一侧接触所述第一与第二侧壁结构的所述顶侧,并定义在所述第一与第二侧壁结构之间的、横跨所述绝缘壁的电极间路径,所述电极间路径的路径长度由所述绝缘壁的所述厚度定义,其中所述导桥包括存储器材料。
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