[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供了高增益场效应晶体管的制造方法，该方法基本上降低或消除了由于使用现有技术阴影掩模工艺所导致的不想要的器件特性变化。本发明方法采用了至少部分地扩展到栅区上的阻挡掩模，其中在扩展注入以及可选的晕注入之后，制成了具有非对称晕区域、非对称扩展区域或其组合的场效应晶体管。本发明方法因此提供了高增益场效应晶体管，其中器件特性的变化被基本上减小或消除。本发明还涉及使用本发明方法制造的非对称高增益场效应晶体管器件。

主权项

1.一种制造半导体结构的方法，其包括：提供一种结构，其包含位于半导体衬底表面上的至少一个图形化栅区，所述至少一个图形化栅区包含源区侧和漏区侧；在所述至少一个图形化栅区的所述漏区侧上形成第一阻挡掩模，所述第一阻挡掩模至少部分地扩展到该至少一个图形化栅区上；执行第一扩展注入以在所述源区侧内形成第一扩展区域，其中所述第一阻挡掩模防止在所述漏区侧内形成所述第一扩展区域；除去所述第一阻挡掩模；以及至少在该图形化栅区的所述漏区侧内执行第二扩展注入，从而至少在所述漏区侧内形成具有与该第一扩展区域的分布不同的第二扩展区域。