[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200610137367.3 | 申请日： | 2006-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1967868A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 高桥英树 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供包含能够不增大二极管的VF地减小恢复电流的IGBT和二极管的半导体装置，其中包括：第1导电型的半导体衬底；在半导体衬底的第1主面侧形成的第1导电型的半导体层；在半导体层的第1主面侧形成的、与半导体衬底之间由半导体层隔离的第2导电型的基极层；从第1主面贯穿基极层而至少到达半导体层地形成的1对槽部；在槽部的内部设置的绝缘膜；隔着绝缘层在槽部内形成的栅极电极；在半导体衬底的第2主面侧形成的第1导电层的半导体层和第2导电型的半导体层；以及在基极层的第1主面侧沿槽部设置的发射极区，在内置控制流过基极层的电流的晶体管和二极管的半导体装置中，发射极区仅设在1对槽部所夹持的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中包括：具有第1主面和第2主面的第1导电型的半导体衬底；在所述半导体衬底的第1主面侧形成的第1导电型的半导体层；在所述半导体层的第1主面侧形成的、在与所述半导体衬底之间由所述半导体层隔离的第2导电型的基极层；从所述第1主面贯穿所述基极层而到达至少所述半导体层而形成的1对槽部；在所述槽部的内部设置的绝缘膜；隔着所述绝缘膜在所述槽部内形成的栅极电极；在所述半导体衬底的第2主面侧形成的第1导电型的半导体层及第2导电型的半导体层；以及在所述基极层的第1主面侧沿所述槽部而设的发射极区，它是内置用所述栅极电极控制流过所述基极层的电流的晶体管和由所述半导体层和所述基极层构成的二极管的半导体装置，其特征在于：所述发射极区仅设在所述1对槽部夹持的区域。
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