[发明专利]像素结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200610137381.3 | 申请日： | 2006-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1936662A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 李奕纬;朱庆云;黄资峰 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1333 | 分类号： | G02F1/1333;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种像素结构，其包括一基板、一栅极、一介电层、一半导体层、多个半导体凸块、一源极、一漏极与一反射像素电极。其中，栅极配置于基板上，而介电层配置于基板上，并覆盖栅极。半导体层配置于栅极上方的介电层上，而半导体凸块配置于介电层上。源极与漏极配置于半导体层上。反射像素电极配置于介电层上，并覆盖半导体凸块，且反射像素电极与漏极电性连接。因此，此种像素结构具有较佳的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种像素结构，包括：一基板；一栅极，配置于该基板上；一第一介电层，配置于该基板上，并覆盖该栅极；一半导体层，配置于该栅极上方的该第一介电层上；多个半导体凸块，配置于该第一介电层上；一源极与一漏极，配置于该半导体层上；以及一反射像素电极，配置于该第一介电层上，并覆盖该些半导体凸块，且该反射像素电极与该漏极电性连接。
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