[发明专利]电压控制的半导体结构、电阻器及其制造方法

摘要

本发明提供一种电压控制的半导体结构、电压控制的电阻器及其制造方法。该半导体结构包含一基板、一第一掺杂阱及一第二掺杂阱。该基板掺杂一第一型离子。该第一掺杂阱具有一第二型离子，且形成于该基板中。该第二掺杂阱具有一第二型离子，且形成于该基板中。该第一型离子与该第二型离子是互补的。在该第一掺杂阱与该第二掺杂阱之间形成一电阻器。该电阻器的电阻率由一差动电压所控制。该电阻器的电阻率与该第一掺杂阱的一第一深度、该第二掺杂阱的一第二深度和及该第一掺杂阱与该第二掺杂阱之间的一距离相关。该电阻器的电阻率高于在具有该第二型离子的单一个掺杂阱中所形成的阱式电阻器的电阻率。

主权项

1.一种半导体结构，其包含：一基板，掺杂一第一型离子；一第一掺杂阱区，具有一第二型离子，且形成于该基板中；以及一第二掺杂阱区，具有一第二型离子，该第一型离子与该第二型离子互补，且第二掺杂阱区形成于该基板中；其中，该第一掺杂阱区与该第二掺杂阱区之间形成一电阻器，该电阻器的电阻率与该第一掺杂阱区的一第一深度、该第二掺杂阱区的一第二深度及该第一掺杂阱区与该第二掺杂阱区之间的一距离相关；以及该电阻器的电阻率高于在具有该第二型离子的单一个掺杂阱区中所形成的阱区式电阻器的电阻率。