[发明专利]采用两个氧化物层的非易失性存储器件有效
| 申请号： | 200610137442.6 | 申请日： | 2006-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101030623A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂法诺维奇·詹瑞克;赵重来;柳寅儆;李殷洪;赵成逸;文昌郁 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L27/10;H01L27/115;G11C13/00;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种采用两个氧化物层的非易失性存储器件。所述非易失性存储器件包括可变电阻材料，还包括：下部电极；形成于所述下部电极上的，由氧化状态可以改变的氧化物形成的第一氧化物层；形成于所述第一氧化物层上的第二氧化物层；以及形成于所述第二氧化物层上的上部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 两个 氧化物 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种采用两个氧化物层并包括可变电阻材料的非易失性存储器件，包括：下部电极；形成于所述下部电极上的，由氧化状态可以改变的氧化物形成的第一氧化物层；形成于所述第一氧化物层上的第二氧化物层；以及形成于所述第二氧化物层上的上部电极。
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