[发明专利]曝光掩模、液晶显示装置及其制造方法无效
申请号: | 200610137446.4 | 申请日: | 2006-10-25 |
公开(公告)号: | CN101008780A | 公开(公告)日: | 2007-08-01 |
发明(设计)人: | 尹盛泽;朴湧基;许龙九 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G02F1/1333;G02F1/1335;G03F7/20;G02B5/23 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种适合于形成用于补偿反射区与透射区之间的色彩再现差异的滤色器的曝光掩模、使用其制备的液晶现实装置及制造液晶显示装置的方法,其中该曝光掩模包括:第一区,通过控制入射光引起一部分薄膜保持为薄膜图案;第二区,通过与所述第一区相反地控制入射光而除去薄膜的其他部分;和虚拟区,从所述第一区的边缘延伸并形成为使得所述薄膜图案基本相应于第一区。 | ||
搜索关键词: | 曝光 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种曝光掩模,包括:第一区,通过控制入射光引起一部分薄膜保持为薄膜图案;第二区,通过与所述第一区相反地控制所述入射光而除去所述薄膜的其他部分;和虚拟区,从所述第一区的边缘延伸并形成为使得所述薄膜图案基本上相应于所述第一区。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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