[发明专利]具有隔离结构的非易失性存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器的制造方法，所述方法包括：先提供基底，基底上已形成有多个隔离结构，相邻两隔离结构定义出有源区，这些隔离结构的顶面高于基底顶面。的后，在各有源区的基底中形成多个开口。继而于各开口的侧壁形成浮置栅极，浮置栅极的顶部低于隔离结构顶面，但高于基底顶面。接着在开口底部的基底上形成源极线，源极线邻接浮置栅极并且横跨这些隔离结构。继而移除源极线外侧的部分隔离结构。接下来，在源极线外侧的基底上形成字元线。

主权项

1.一种具有隔离结构的非易失性存储器，包括：基底；多个隔离结构，平行设置于该基底中，并且相邻两隔离结构定义出有源区，其中该隔离结构具有凸出部与凹陷部，且该凸出部的顶面高于该凹陷部的顶面，该凹陷部的顶面约高于等于该基底的顶面；开口，设置于该有源区的该基底中，且为相邻两隔离结构的该凸出部包夹；浮置栅极，设置于该开口中的侧壁，该浮置栅极的顶部低于该凸出部顶面；源极线，设置于该开口底部的该基底上，并且横跨该隔离结构的该凸出部；以及字元线，设置于该源极线外侧的该基底上，约略平行于该源极线并且横跨该隔离结构的该凹陷部。