[发明专利]半导体元件的制造方法无效
| 申请号： | 200610137649.3 | 申请日： | 2006-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101086967A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 陈建豪;李资良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体元件的制造方法。首先，在基材上形成金氧半导体元件。接着，在金氧半导体元件上形成一应力层。最后，选择性蚀刻位于闸电极上的应力层，以改变金氧半导体元件的通道区中的应变条件。NMOS晶体管可以包含一拉伸应力层，而PMOS晶体管则可包含挤压应力层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体元件的制造方法，其特征在于其包含以下步骤：形成一金氧半导体元件于一基材上，该金氧半导体元件包含一源极、一汲极、一通道区、一闸电极与一成对的侧壁间隙壁，其中该通道区是位于该源极与该汲极之间，该闸电极是位于该通道区之上，该些侧壁间隙壁是位于该闸电极的两侧；形成一应力层在该金氧半导体元件上；以及完全移除位于该闸电极上的该应力层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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