[发明专利]现场可编程门阵列中RAM的三维读写方法无效
| 申请号： | 200610137693.4 | 申请日： | 2006-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1959845A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 朱柏承;张宏;李斗;孙云刚;李翔 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409;G11C7/22;G06F12/02 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种现场可编程门阵列中RAM的三维读写方法，属于通讯技术领域，该方法包括：(1)RAM的总数据个数L＝X*Y，将现场可编程门阵列中RAM的数据结构构造成长方体；(2)长方体沿a方向的高度为W，沿b方向的长度为X或Y，沿c方向的宽度为X或Y；(3)将长方体沿c方向切割X或Y个截面，依次在每个截面上按照写入数据；(4)当写到数据L－Y时，将长方体沿b方向切割X或Y个截面，依次读取每个截面上的数据。本发明利用三维地址操作思想，可以解决传统方案对RAM资源需求过多的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 现场 可编程 门阵列 ram 三维 读写 方法 | ||
【主权项】：
1、一种现场可编程门阵列中RAM的三维读写方法，包括：(1)现场可编程门阵列中RAM的总数据L分为X个组，每个组Y个数据，即L＝X*Y，将RAM的数据结构构造成长方体；(2)X＞Y，上述长方体沿a方向的高度为W，沿b方向的长度为Y，沿c方向的宽度为Y，W*Y大于并近似X；(3)将长方体沿c方向切割Y个截面，依次在每个截面上按照W行和Y列写入X个数据；(4)当写到第Y个截面时，将长方体沿b方向切割Y个截面，依次读取每个截面上的数据。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610137693.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
