[发明专利]激光诱导热成像装置、方法和制造有机发光二极管的方法有效
申请号: | 200610138193.2 | 申请日: | 2006-11-16 |
公开(公告)号: | CN101186160A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
发明(设计)人: | 鲁硕原;金茂显;李相奉;金善浩 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | B41M5/382 | 分类号: | B41M5/382;H01L51/00;H01L51/56;H01L21/00 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王琦;王珍仙 |
地址: | 韩国京畿道*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种激光诱导热成像装置和激光诱导热成像方法,其能够利用磁力将供体薄膜均匀地粘合到受体基板上,以实现有效的激光诱导热成像方法;以及一种利用该激光诱导热成像方法来制造有机发光二极管的方法。所述激光诱导热成像装置包括室,其中设置有具有磁性物质的接触框架,以朝向包含磁体的受体基板挤压,所述受体基板设置于基板台上,所述供体薄膜设置于所述受体基板和所述接触框架之间;以及通过所述接触框架中的开口照射所述供体薄膜的激光振荡器。由此,所述激光诱导热成像装置提高了所述受体薄膜与所述基板之间的粘合力,从而生产出具有改进的寿命、产量和可靠性的有机发光二极管。 | ||
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【主权项】:
1.一种激光诱导热成像装置,包括:处理室,其具有供体薄膜和包含磁体的受体基板,以执行转移所述供体薄膜的成像层到所述受体基板上的过程;基板台,其设置于所述处理室中并且支撑所述受体基板;接触框架,其具有磁性物质并设置在所述室中,使得所述供体薄膜位于所述接触框架与所述受体基板之间;和激光振荡器,其形成于所述处理室的外部或内部,以照射激光到所述供体薄膜上。
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