[发明专利]用于异常磁致电阻元件的引线接触结构无效
| 申请号： | 200610138863.0 | 申请日： | 2006-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1917235A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 小罗伯特·E·方塔纳;斯蒂芬·马特 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/82 | 分类号： | H01L29/82;H01L29/41;H01L21/18;H01L21/28;G11B5/39 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开一种EMR元件及其制造方法。该EMR结构包括形成有源区的一个或更多层，例如二维电子气(2DEG)。该EMR结构具有第一侧表面和相对的第二侧表面，该第一侧表面具有从该EMR结构的主体向外延伸的多个引线凸起。所述引线凸起用于形成该EMR元件的电流和电压引线。所述有源区延伸经过各引线凸起且沿所述引线凸起的每个的周边是可达到的。导电材料沿各引线凸起的周边形成且沿所述周边接触该EMR结构的有源区。所述引线凸起和接触各引线凸起的有源区的相应的导电材料形成该EMR元件的引线，例如电流引线和电压引线。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 异常 致电 元件 引线 接触 结构 | ||
【主权项】：
1.一种EMR元件，包括：半导体EMR结构，其包括有源区，其中该半导体EMR结构的第一侧表面包括多个引线凸起，其中沿该多个引线凸起的周边该有源区是可达到的；以及导电材料，沿所述多个引线凸起的每个的所述周边的至少一部分接触该有源区从而形成用于该EMR元件的引线。
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