[发明专利]具有镶嵌形成的配线的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610138989.8 | 申请日： | 2006-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101043021A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 押领司方生;酒井久弥 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体衬底的中间层绝缘膜中形成导通孔，所述导通孔延伸至所述中间层绝缘膜的底面。填充物填充在所述导通孔中的下部空间。形成在俯视时与该导通孔连接的配线槽，所述配线槽沿厚度方向部分地延伸。所述配线槽是在所述中间层绝缘膜端部的蚀刻速率大于所述填充物的蚀刻速率的条件下，以所述填充物的上表面与所述配线槽的底面之间的高度差为所述导通孔的平面形状的最大尺寸的一半或者一半以下的方式形成的。该导通孔中的填充物被去除，所述导通孔和所述配线槽的内部用导电物填充。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 镶嵌 形成 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其包括以下步骤：(a)在半导体衬底的上方形成中间层绝缘膜；(b)在该中间层绝缘膜中形成导通孔，该导通孔延伸至该中间层绝缘膜的底面；(c)该导通孔的下部空间填充有填充物；(d)形成在俯视时与该导通孔连接的配线槽，该配线槽沿该中间层绝缘膜的厚度方向部分地延伸，并且在该中间层绝缘膜的蚀刻速率大于该填充物的蚀刻速率的条件下，以留在该导通孔中的该填充物的上表面与该配线槽的底面之间的高度差为该导通孔的平面形状的最大尺寸的一半或者一半以下的方式，形成该配线槽；(e)将该导通孔中的该填充物去除；以及(f)用导电物填充该导通孔和该配线槽的内部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
