[发明专利]电子装置的制造系统无效
申请号: | 200610138995.3 | 申请日: | 2002-03-07 |
公开(公告)号: | CN1920674A | 公开(公告)日: | 2007-02-28 |
发明(设计)人: | 伊藤信一;东木达彦;池上浩;早坂伸夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00;G03F7/20;B23K26/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供包含激光加工装置、成膜系统和图案形成系统的电子装置的制造系统。该激光加工装置包括:发出选择地去除被加工衬底的一部分的激光的激光振荡器、将从激光振荡器发出的激光照射到上述被加工衬底的任意位置上的扫描系统、使从上述激光振荡器发出的激光大致垂直入射到上述被加工衬底的入射装置。 | ||
搜索关键词: | 电子 装置 制造 系统 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于包括下列工序:在具有对位标记的半导体衬底的主面上形成第一薄膜;对上述第一薄膜提供包含感光性物质和溶剂的药液并在第一薄膜上形成涂敷液薄膜;去除上述涂敷液薄膜中包含的溶剂,形成感光性薄膜;对包含上述对位标记的区域上的上述感光性薄膜照射第一能量射线,选择地去除上述感光性薄膜和第一薄膜的一部分;经由选择地去除了上述第一薄膜的区域,向上述对位标记照射参照光,识别上述标记的位置;基于识别出的上述对位标记的位置向上述感光性薄膜上的规定位置照射第二能量射线,在该感光性薄膜上形成潜像;基于上述感光性薄膜上形成的潜像选择地去除上述第一薄膜的一部分来形成感光性薄膜图案,其中照射第一能量射线时,至少向第一能量射线的照射区域提供液体。
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