[发明专利]具有透明导电膜的半导体发光元件

摘要

本发明提供了高亮度、低驱动电压而且能在驱动半导体发光元件的过程中抑制光辐射输出随时间而降低以及驱动电压上升的半导体发光元件。本发明的半导体发光元件是，在半导体衬底(1)上形成至少由n型包层(4)、活性层(5)、p型包层(6)构成的发光部，在上述发光部的上部形成添加了高浓度的p型掺杂剂Zn的As系接触层(7)，再在上述接触层(7)的上部形成由金属氧化物材料的透明导电膜构成的电流扩展层，其特征是，在上述接触层(7)和上述p型包层(6)之间，具有由至少2层或2层以上的缓冲层部构成并且邻接的缓冲层部彼此间的材料或组成不同的缓冲层。

主权项

1.具有透明导电膜的半导体发光元件，在半导体衬底上形成至少由n型包层、活性层、p型包层构成的发光部，在上述发光部的上部形成添加了1×1019/cm3以上的p型掺杂剂的As系接触层，再在上述接触层的上部形成由金属氧化物材料的透明导电膜构成的电流扩展层，其特征在于：在上述接触层和上述p型包层之间，具有由至少2层或2层以上的缓冲层部构成并且邻接的缓冲层部彼此间的材料或组成不同的缓冲层。