[发明专利]一种薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件，其中包括：下基板；黑矩阵，形成在下基板之上；彩色滤光层，形成在黑矩阵的开口处，对应于像素区域；过敷保护膜，形成在彩色滤光层和黑矩阵之上；栅线及栅电极，形成在过敷保护膜之上；薄膜晶体管，形成在栅电极上；数据线、源电极和漏电极，形成在薄膜晶体管之上；钝化保护膜，形成漏电极的部分区域和像素区域以外的其它部分之上；像素电极，形成在像素区域的过敷保护膜之上，与漏电极的部分区域形成接触；上基板；公共电极，形成在上基板上；液晶分子层，形成在上基板和下基板之间。本发明同时公开了该显示器件的制造方法。本发明提高了显示器件光透过率和开口率，简化了工艺方法。

主权项

1.一种薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件，其特征在于，包括：一下基板；一黑矩阵，形成在所述下基板之上，其开口部分对应为像素区域；一彩色滤光层，形成在所述黑矩阵的开口处，对应于所述像素区域；一过敷保护膜，形成在所述彩色滤光层和黑矩阵之上；一栅线及与其连接的栅电极，形成在所述过敷保护膜之上；一栅电极绝缘层，形成在所述栅线和栅电极之上；一本征半导体层和掺杂半导体层，形成在所述栅电极绝缘层之上；一薄膜晶体管沟道，形成在本征半导体层上，其上没有掺杂半导体层；一数据线及与其相连接的源电极和对应的漏电极，形成在所述掺杂半导体层之上；一钝化保护膜，形成在所述数据线、源电极、漏电极的部分区域、薄膜晶体管沟道、栅电极绝缘层和像素区域以外的其它部分之上；一像素电极，形成在所述像素区域的过敷保护膜之上，与所述漏电极的部分区域形成接触；一上基板；一公共电极，形成在所述上基板上；一液晶分子层，形成在所述上基板和下基板之间。