[发明专利]反铁磁耦合的软底层有效
| 申请号： | 200610139863.2 | 申请日： | 2006-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN1979644A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | E·格特;C·布鲁克;A·多宾 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/84 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种依次包含第一磁性层、分隔层、第二磁性层的磁性记录介质，其中分隔层含有非磁性层，并且分隔层的厚度被选择为建立第一磁性层和第二磁性层之间的反铁磁耦合，而第一和第二磁性层的厚度都小于在磁性层中形成带状畴的临界厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 反铁磁 耦合 底层 | ||
【主权项】：
1.一种磁性记录介质，依次包含第一磁性层、分隔层和第二磁性层，其中所述分隔层含有非磁性层，并且所述分隔层的厚度被选择为建立所述第一磁性层和所述第二磁性层之间的反铁磁耦合，而所述第一和第二磁性层的厚度都小于在所述磁性层中形成带状畴的临界厚度。
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