[发明专利]具多数导电结构层及电容器之集成电路装置及方法有效
申请号: | 200610139867.0 | 申请日: | 2006-09-21 |
公开(公告)号: | CN1941368A | 公开(公告)日: | 2007-04-04 |
发明(设计)人: | M·胡梅尔;H·科内尔;M·许魏尔德;M·席克 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/522 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 顾珊;张志醒 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种具有至少三个导电结构层的集成电路装置,且增长的互连即排列于在各导电结构层中。由于在本发明中不需使用习知的通道层,因而产生了多种技术功效与新颖应用的可行性,特别是具有绝佳电性性质的电容器(521)。 | ||
搜索关键词: | 多数 导电 结构 电容器 集成电路 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具有一集成组件的集成电路装置,其特征在于靠近基板的一组件互连、一中间组件互连、以及远离基板的一组件互连,所述组件互连从一基板处增加距离而以此顺序加以排列,且在一组件区段上具有相同的方向,所述组件互连于所述组件区段中各包含一平面底部区域与一平面顶部区域,在所述组件区段中,各所述组件互连的长度至少是其宽度的五倍、或至少是其宽度的十倍,在所述组件区段中,所述中间组件互连的顶部区域与远离基板的所述组件互连的底部区域相邻,在所述组件区段中,所述中间组件互连的底部区域与靠近基板的所述组件互连的顶部区域相邻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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