[发明专利]使用化学机械抛光工艺制作自对准接触焊盘的方法有效
| 申请号： | 200610139968.8 | 申请日： | 2006-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1941310A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 金镐永;洪昌基;尹普彦;朴俊相 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制作自对准接触焊盘的方法，包括：在半导体衬底上形成导电线和覆盖层的叠层，并形成覆盖叠层的侧壁的间隔层和填充叠层之间的间隙并暴露覆盖层的顶部的绝缘层；刻蚀覆盖层以形成波纹状凹槽；以与覆盖层的材料不同的材料形成多个第一刻蚀掩模以填充波纹状凹槽，而不覆盖绝缘层顶部；以及形成具有开口区的第二刻蚀掩模，所述开口区暴露出第一刻蚀掩模的一些以及绝缘层中位于第一刻蚀掩模之间的那部分。所述方法还包括：使用第一和第二掩模刻蚀由开口区所暴露的绝缘层部分以形成多个开口孔；除去第二刻蚀掩模；形成填充开口孔的导电层以覆盖残留的第一刻蚀掩模；以及将覆盖层用作为抛光终点在导电层上执行化学机械抛光工艺以除去第一刻蚀掩模，从而形成多个彼此分离的、填充开口孔的SAC焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 化学 机械抛光 工艺 制作 对准 接触 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作自对准接触焊盘的方法，包括：在半导体衬底上形成导电线和覆盖层的多个叠层，并且形成覆盖叠层的侧壁的间隔层和填充叠层之间的间隙但暴露覆盖层的顶部的绝缘层；刻蚀覆盖层以形成多个波纹状凹槽；以与覆盖层的材料不同的材料形成多个第一刻蚀掩模，以填充波纹状凹槽，而不覆盖绝缘层的顶部；形成具有开口区的第二刻蚀掩模，所述开口区暴露出第一刻蚀掩模的一些以及绝缘层中位于第一刻蚀掩模之间的那部分；使用第一刻蚀掩模和第二掩模，刻蚀绝缘层中由开口区所暴露出的那部分，以形成多个开口孔；除去第二刻蚀掩模；形成填充开口孔的导电层，以覆盖残留的第一刻蚀掩模；以及将覆盖层用作为抛光终点来在导电层上执行化学机械抛光工艺，以除去第一刻蚀掩模，以致形成多个彼此分离的、填充开口孔的自对准接触焊盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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