[发明专利]搀杂的细长半导体,这类半导体的生长，包含这类半导体的器件以及这类器件的制造无效
| 申请号： | 200610139984.7 | 申请日： | 2001-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1996613A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 查尔斯·M·利伯;崔屹;段镶锋;黄昱 | 申请（专利权）人： | 哈佛学院董事会 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/532;H01L21/00;C30B29/60;C30B11/00;C30B25/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供体搀杂半导体，其至少是下列其中之一：单晶体；拉长且体搀杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；至少一部分具有小于500纳米的最小宽度的独立式且体搀杂的半导体，其中由体搀杂的半导体剖面产生的现象表现出所述剖面尺寸所引起的量子限制。此外还提供与体搀杂半导体相关的生长半导体的方法，制造器件的方法，半导体器件，制造纳米线半导体器件的方法，用于用纳米线制造发光二极管的方法，制造具有体搀杂半导体部件和一个和多个其他部件的装置的方法，在表面上装配多个拉长结构的方法，在表面上装配一个或更多拉长结构的系统以及半导体纳米线选择性地对准和定位在基体上的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 搀杂 细长 半导体 这类 生长 包含 器件 以及 制造 | ||
【主权项】：
1.一种体搀杂半导体，其特征在于，其至少是下列其中之一：单晶体；拉长且体搀杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；至少一部分具有小于500纳米的最小宽度的独立式且体搀杂的半导体，其中由体搀杂的半导体剖面产生的现象表现出所述剖面尺寸所引起的量子限制。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈佛学院董事会，未经哈佛学院董事会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610139984.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
